삼성전자가 미국 캘리포니아주에서 열린 'FMS 2026'에서 차세대 3D 메모리 아키텍처 'zHBM'을 공개하며 인공지능(AI) 메모리 시장 선점에 나섰다. 이 기술은 기존 HBM5 대비 최대 8배 향상된 성능을 제공하는 것이 특징이다. AI 가속기 위에 메모리를 수직 적층하는 혁신적인 구조를 통해 데이터 처리 효율을 극대화했다. 이는 급변하는 AI 인프라 발전에 필수적인 메모리 성능 한계를 뛰어넘는 중대한 진전으로 평가된다.

5일(현지시간) 삼성전자는 세계 최대 메모리·스토리지 행사인 FMS 2026에 참가해 zHBM을 업계 최초로 선보였다고 밝혔다. 이와 함께 400단 이상 초고적층 기술이 적용된 차세대 고성능 낸드 'zNAND-O'도 함께 공개됐다. 삼성전자가 발표한 자료에 따르면 zHBM은 기존 HBM5 대비 데이터 처리 성능이 최대 8배, 전력 대비 성능은 3배까지 향상된 것으로 나타났다. 해당 행사는 4일부터 6일까지 미국 산타클라라 컨벤션센터에서 성공적으로 진행됐다.

이번 신기술 발표는 인공지능 시대가 요구하는 초고성능 메모리 수요에 삼성전자가 선제적으로 대응하려는 전략으로 풀이된다. 대규모 AI 모델의 등장과 확산으로 인해 AI 가속기(xPU)와 고대역폭 메모리(HBM) 간의 데이터 병목 현상이 인공지능 시스템의 효율성을 저해하는 주요 과제로 지적되어 왔다. 기존 HBM은 주로 가속기 옆에 배치되는 방식을 사용했으며, 이는 데이터 이동 거리가 길어 대역폭 확장과 전력 효율 측면에서 명확한 한계를 보였다. 삼성전자는 이러한 기존 HBM의 구조적 한계를 뛰어넘는 새로운 혁신 기술 개발에 주력해왔다.

zHBM은 AI 가속기 상단에 HBM을 직접 수직 적층하는 독창적인 방식을 채택했다. 이 구조는 AI 가속기와 메모리 간 데이터 이동 거리를 획기적으로 최소화하는 것이 가장 큰 원인으로 꼽힌다. 결과적으로 데이터 전송 대역폭은 기존 대비 크게 확장되며, 시스템 전체의 전력 효율 또한 비약적으로 개선될 수 있다는 분석이다. 이러한 초고속·고효율 데이터 처리는 차세대 AI 가속기 시스템 구축에 필수적인 요소로 작용할 것으로 분석된다.

업계에서는 삼성전자의 zHBM이 미래 AI 가속기 시장의 핵심 경쟁력을 결정하고, 전반적인 산업 판도를 바꿀 주요 기술이 될 것이라는 전망이 나온다. 삼성전자는 이번 기술 공개를 통해 AI 메모리 로드맵을 선도하며, 미래 인공지능 인프라 시장에서 자사의 기술적 우위와 시장 입지를 더욱 강화할 것으로 보인다. 향후 zHBM과 zNAND-O 기술의 실제 상용화 시점 및 시장 파급 효과에 큰 관심이 쏠리고 있다. 이들 혁신적인 신기술이 전반적인 AI 생태계 발전에 미칠 영향도 주목된다.

함께 참고한 보도: 인공지능신문 — 삼성전자, AI 시대 메모리 혁신 청사진 제시...AI 가속기 위에 메모…

#삼성전자#zHBM#zNAND-O#HBM#AI 메모리#FMS 2026

출처: AI타임스 · 이 기사는 AIAD 기자가 원문 보도를 참고해 재구성했습니다.